【半導体】プロセス・デバイス・インテグ

職種

• 半導体デバイス設計

• 半導体プロセス設計

• 半導体生産技術

仕事内容

1) NAND開発のプロセス・インテグレーション 2) DRAMプロセス・インテグレーション 3) DRAMデバイス・エンジニア 4) DRAM プロセス・エンジニア（薄膜開発） 5) DRAMプロセス・エンジニア（エッチング） ＊NANDフラッシュメモリ、DRAMなどのプロセス・インテグレーション、デバイス開発、プロセス開発の業務を行って頂きます。

求める能力・経験

1) NAND開発のプロセス・インテグレーション 2) DRAMプロセス・インテグレーション 3) DRAMデバイス・エンジニア 4) DRAM プロセス・エンジニア（薄膜開発） 5) DRAMプロセス・エンジニア（エッチング） ・英語：中級の上レベル（Upper Intermediate above） ・プロセス・エンジニアは、20nmクラスのNANDフラッシュ、DRAMプロセス開発における豊富な経験 ・デバイス・エンジニアは、デバイス開発経験 ・DRAMプロセス・エンジニア（エッチング）は、7年以上のエッチング技術開発の経験、ダブルパターニングの開発経験

語学

英語で簡単な会話が可能、英語で日常会話が可能、英語でビジネス会話が可能

学歴

大学院（博士）、大学院（修士）、4年制大学、6年制大学、高等専門学校

雇用形態

給与

700万円〜2000万円

勤務時間

休日・休暇

124日

社会保険

備考

1) NANDプロセス・インテグレーション： 800万円～ 2500万円 2) DRAMプロセス・インテグレーション： 800万円～ 2500万円 3) DRAMデバイス・エンジニア 　　　 ：700 万円～ 2000万円 4) DRAM薄膜開発エンジニア 　　　　 ：700 万円～ 1800万円 5) DRAMエッチング技術開発エンジニア： 700万円～2000万円

配属先

転勤

新横浜本社採用：台湾：台中赴任

住所

神奈川県横浜市

制度

その他

制度備考