【パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善】業界最先端の開発：15079

職種

• 半導体品質管理

• 半導体品質保証

• 半導体生産技術

仕事内容

■Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社 ■グローバルに開発を進める注目ベンチャー／大学などの研究機関や提携企業との協力体制◎ ・高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携し、高性能／高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします ・SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマ。製品仕様の決定のための体制確立が急務の為、人材の強化を進めています。現社員は大手半導体メーカーで20～30年以上の経験者で構成 ・2022年よりGaN Projectがスタート

求める能力・経験

【必須（MUST）】 パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の（1）～（4）いずれかのご経験がある方 （1）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 （2）ファウンドリーでのデバイス試作経験 （3）デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 （4）パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 【歓迎】 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

学歴

大学院（博士）、高等専門学校、大学院（修士）、大学院（その他専門職）、6年制大学、大学院（MBA/MOT）、4年制大学

雇用形態

正社員

試用期間

有 試用期間月数: 3ヶ月

給与

600万円〜1000万円

勤務時間

休憩60分

09:00〜18:00 専門業務型裁量労働制 1日あたりのみなし労働時間：8時間00分

休日・休暇

120日 内訳：完全週休2日制、土曜 日曜 祝日

有給休暇

有給休暇：有

その他

年末年始／夏季／慶弔／産前産後／育休　等

社会保険

健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険

備考

【給与】 年収：600万円～1,000万円（年俸制） 月額：年収を12ヶ月に分割 賞与：なし 昇給：年1回 通勤交通費（会社規定に基づき支給） 【その他】 試用期間中、条件変更なし

配属先

転勤

京都市西京区／転勤なし

住所

京都府京都市

喫煙環境

屋内全面禁煙

備考

・JR桂川駅／阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有 ・マイカー通勤可（駐車場あり／有料）

制度

その他

その他制度

通勤交通費（会社規定に基づき支給）

制度備考