Huawei：SiC Power Device Design Expert

職種

• 半導体デバイス設計

• 半導体研究開発

• 半導体プロセス設計

仕事内容

・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。 ・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。 ・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。 ・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。

求める能力・経験

・20年以上の半導体関連技術の業務経験、うち、10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、 　半導体デバイス構造、動作原理、電気的特性、特性評価技術に精通 ・高性能デバイス開発に必要なプロセス、プロセスインテグレーションの知識 ・パワーデバイス信頼性評価技術に精通 ・EDAツールに精通し、パワーデバイス設計が行える ・最新の技術動向に詳しく、学会や業界で広い人脈を持つ ・パワー半導体マーケット全般の動向に対し、高い情報収集能力を持つ ・優れた学習能力、問題解決能力、コミュニケーション能力、職業倫理、チームワーク精神 ・海外出張に対応可能 ・基本的な英語のコミュニケーションスキル

雇用形態

給与

800万円〜2000万円

勤務時間

休日・休暇

120日 内訳：完全週休2日制、土曜 日曜 祝日

社会保険

健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険

備考

配属先

転勤

大阪、横浜

住所

神奈川県横浜市

大阪、横浜

住所

大阪府大阪市

制度

その他

制度備考