パワーMOSFETのプロセスおよびデバイスの開発・設計

職種

• 半導体デバイス設計

• 半導体プロセス設計

仕事内容

同社の半導体製品（パワーMOSFET）に関してのプロセスおよびデバイス開発に関する技術者として下記業務などをご対応頂きます。 ・ウエーハプロセス導入設備の検討、工程の開発 ・デバイスTEG設計、試作、製品評価 ・技術標準類整備 ・外部ファンダリと共同でウエーハプロセスの品質改善 ・外部ファンダリとの契約対応

求める能力・経験

＜必須＞ ※下記いづれかに該当される方 ・パワーMOSFETのプロセス開発経験 ・パワーMOSFETのデバイス開発経験 ＜歓迎＞ ・英会話スキル ・デバイスシミュレータのスキル ・プロセスシミュレータのスキル ・TEG（マスク）設計CADのスキル ・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得

雇用形態

給与

年収非公開

勤務時間

休日・休暇

133日

社会保険

備考

配属先

転勤

朝霞事業所

住所

埼玉県朝霞市

制度

その他

制度備考