半導体 エンジニア
年収非公開
ルネサスエレクトロニクス株式会社
茨城県ひたちなか市
年収非公開
ルネサスエレクトロニクス株式会社
茨城県ひたちなか市
半導体デバイス設計
半導体プロセス設計
半導体生産技術
・SiCデバイス向けリソグラフィ技術開発(装置/材料/プロセス条件評価等) ・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築) ・生産技術開発 ・SiCパワーデバイス開発エンジニア ・SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア ・SiCデバイス・プロセス開発リーダー など
ご経験や志向性に合わせてご相談させていただいております。
年収非公開
120日
茨城県ひたちなか市
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