京都【パワー半導体デバイスの設計開発】スペシャリスト集団でスキルを高める
500~1000万
Anjet Research Lab株式会社
京都市西京区
500~1000万
Anjet Research Lab株式会社
京都市西京区
半導体デバイス設計
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計開発をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
【必須】パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験 【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 ★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが頻繁に発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし! ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能!刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
高専、大学、大学院
正社員(期間の定め: 無)
更新:無
有 3ヶ月(試用期間中の勤務条件:変更無)
500万円~1,000万円 年俸制(分割回数12回) 年俸 5,000,000円~10,000,000円 年俸\5,000,000~ 基本給\416,666~を含む/月
会社規定に基づき支給
08時間00分 休憩60分
1日あたりのみなし労働時間:08時間00分
無 コアタイム 無
無
無 専門業務型裁量労働制
年間120日 内訳:完全週休二日制、土曜 日曜 祝日
入社半年経過時点10日
その他(年休120日以上※暦により数日の変動あり)
雇用保険 健康保険 労災保険 厚生年金
■標準労働時間 9:00~18:00 ■定年65歳制(再雇用 上限70歳まで) ■マイカー通勤可 但し駐車場は有料(8,800円/月) ≪職安法改正による令和6年4月より明記が必須となった項目について≫ ■従事すべき業務の変更の範囲:当社業務全般 ■就業場所の変更の範囲:無し ※本社の移転や拠点の設立などにより就業場所が変更となる可能性はございます。
大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム)等で20~30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。
無
京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208・2103号室
JR東海道本線桂川駅 阪急電鉄阪急京都線桂駅
敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり)
マイカー通勤可(駐車場8,800円/月)
JR桂川駅/阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有
服装自由(全従業員利用可) ストックオプション(全従業員利用可) 従業員専用駐車場あり(全従業員利用可)
無
無
1名
3回
筆記試験:無 ■Webex Interview2回→最終面接(対面) ※応募者個人情報の第三者提供有り <提供目的> 当該求人募集は、提携先とリクルートが協力して実施をしておりますので、下記、提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。 <提供先> 京都プロフェッショナル人材戦略拠点
■業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立 ■電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
《当社について》高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化(量産化)していくための人員の強化を進めています。 また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。
〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208・2103号室
《国内》所沢サテライトオフィス/《海外》■ Taipei Anjet Corporation (HQ) ■Hsinchu R&D office ■Beijing Sales
化合物パワー半導体デバイス設計業
■Taipei ANJET corporation (Headquarters)
非公開
決算期 | 売上高 | 経常利益 | |
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今期予測 | - | - | - |
将来予測 | - | - | - |
営業実績非公開
最終更新日: