SiCプロセス統合専門家

職種

• 電気/電子プロセス設計

• 電気/電子研究開発

• 半導体研究開発

仕事内容

以下の業務のうち 2 つ以上を担当する： 1、SiCパワーデバイスの設計、プロセス統合、プロセス開発及びプロジェクト推進関連業務を担当する； 2、デバイスのプロセスフロー、プロセス設定などについてウエハー工場との技術交流を主導し、製品の品質問題をタイムリーに解決し、製品の順調な生産を守る；工程のテープアウトの状態をタイムリーにフォローアップし、エンジニアリングバッチのプロセスデータを分析し、まとめ、関連する工程技術問題に対応する； 3、製品の信頼性に関する知識を理解し、製品の信頼性に関する実験方法を習得し、製品の信頼性に関する評価を行う； 4、製品の歩留まりの向上を担当し、責任範囲内の重大な異常問題に取り組む。

求める能力・経験

【MUST】 1. 大学卒以上 2. SiC パワーデバイス製造業界で、成膜、デバイス設計、およびプロセス開発の職で 10 年以上の実務経験 3. 課長以上（次長、部長）の経験、または主任研究員以上（主席研究員、フェロー）などの技術職の経験 4.材料試験およびデバイスプロセスの特性評価についての能力と経験 【WANT】 1. ビジネス英語、またはTOEIC600点以上あれば尚可 2. 歓迎：海外勤務や出張が可能な方　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 3. 半導体材料とデバイス産業チェーン業界に精通している； 4. SiCパワーデバイスの設計・物理構造とその関連原理に精通し、パワーデバイスの開発・生産の実務経験 5、パワー半導体デバイスのプロセスフロー、製造プロセス及び関連するプロセス原理に精通している。

語学

英語で簡単な会話が可能、英語で日常会話が可能、英語でビジネス会話が可能、英語でネイティブレベルで会話可能

学歴

大学院（博士）、大学院（修士）、大学院（MBA/MOT）、4年制大学

雇用形態

正社員

契約期間

無

試用期間

有 試用期間月数: 3ヶ月

給与

800万円〜2,000万円

通勤手当

全額支給

勤務時間

08時間00分 休憩60分

09:00〜18:00

フレックスタイム制

有 コアタイム (10:00〜15:00)

残業

有 平均残業時間： 25時間

残業手当

有

休日・休暇

125日 内訳：土曜 日曜 祝日、夏季4日、年末年始5日

有給休暇

入社初年度から14日間の有給休暇、夏季休暇４日間、病気休暇4日間、慶弔休暇あり。

社会保険

健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険

備考

配属先

転勤

無

船橋ラボ

住所

千葉県船橋市

喫煙環境

屋内禁煙(屋内喫煙可能場所あり)

備考

1. 清潔で広々としたオフィス環境。 2. シャトルバスあり。 3. スポーツ施設が充実（体育館にバドミントン/卓球/バスケットボールスペースあり，ランニングマシン）。 4. 風通しの良い、イキイキとした雰囲気。

制度

服装自由 研修支援制度

その他

寮・社宅

無

退職金

有

制度備考