【デンソー社】～1,250万程【パワー半導体素子の企画/開発/設計 】☆フレックス制導入☆

職種

• 半導体デバイス設計

• 半導体研究開発

仕事内容

電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS＆Si-IGBT）の企画/開発/設計業務 　開発目標を満たすパタンレイアウト、構造設計、工程設計、評価、検査設計を担当しております。 　・車載用パワー半導体素子の製品企画/仕様検討、技術動向調査 　・プロセス・デバイスシミュレーション設計、素子試作評価、分析解析 　・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術 　・Si/SiC半導体ウェハ開発（エピ、結晶成長、他） 　・素子検査、評価技術開発 ＜職場紹介＞ パワーデバイス技術部の第１、第２開発室のいずれかに所属を予定しております。 第１、第２開発室は、Si, SiCパワー半導体素子企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでいる部署です。 年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。 ＜募集背景＞ 地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、 電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。 我々は、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するためのキーデバイスである 高耐圧/大電流パワー半導体素子の企画、設計開発から製品化まで行っています。 車載向けの高耐圧、大電流かつ高品質なSiC-MOSやSi-IGBTのプロセス・デバイスを 一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。 【パワーデバイス技術部で経験できること】 ●パワー半導体の設計技術を習得できる！ 当部署には、これまでSiC/Si半導体デバイスを内製開発してきた多大な知見の蓄積があり、 また、パワーモジュール開発部署と密接に連携しながら開発を進めており、 様々な専門知識を持つ数多くの頼れる有識者が存在します。 経験が無い方でも、経験豊かなメンバーから新味にOJTを受けることができ、 内製/外注開発の企画～設計～試作～評価を通じ、企画、設計、評価スキルを身につけることができ、 また生産技術、製造、品質保証の知見も得られます。 ●モノづくりを直接経験できる！ 広瀬製作所にはSiC試作ライン（ウェハ、パワーモジュール）、 また、桑名事業所（USJC）にはSi-IGBTの試作ライン（ウェハ：12インチクリーンルーム）があり、 ウェハに直接触れながら、試作、特性評価を実施することができます。 机上の勉強だけでは決して培うことのできない生のモノづくりに触れ、その面白さ、難しさ、奥深さを肌で感じていただくことができます。 ●グローバルなお客様と仕事ができる！ SiC、Siパワー半導体の外販業務として、海外のお客様、海外拠点の担当者とのマーケティング、拡販活動やSiCパワー半導体の肝となるウェハ調達について、海外メーカーとの協業を行っており、グローバルに活躍する機会があります。

求める能力・経験

＜MUST要件＞ ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること 　※パワー半導体の経験有無は問いません。また上記経験がなくても、学習意欲のある方は大歓迎です。 ＜WANT要件＞ ・パワー半導体に関する知識を有すること　 ・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験（目安：3年以上）を有すること ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダー経験者　 ・海外顧客関係者（ネイティブ）と議論および仕様書や各種レポートを理解できる英語力

雇用形態

正社員

契約期間

無

試用期間

有 試用期間月数: 3ヶ月

給与

600万円〜1,250万円

勤務時間

フレックスタイム制

有 コアタイム (10:10〜15:25)

休日・休暇

120日 内訳：完全週休2日制、土曜 日曜 祝日

社会保険

健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険

備考

※経験・年齢を考慮して決定致します。 ＜年収例＞ 29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず） 32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず） 35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず） 40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

配属先

転勤

先端研究所（日進市）

住所

愛知県日進市

広瀬製作所（豊田市）

住所

愛知県豊田市

桑名事業所（桑名市）

住所

三重県桑名市

制度

その他

寮・社宅

有

その他制度

選択型福利厚生制度 個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など 施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など

制度備考