東芝D＆S／兵庫／化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）／450～1000万

職種

• 半導体デバイス設計

• 半導体研究開発

• 半導体プロセス設計

仕事内容

■ポジション 化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC） ■職務内容詳細 同社では、 Si半導体に代わるGaN/SiCパワー半導体の研究開発を推進しております。 ・株式会社東芝の研究開発センターや各拠点、各部署と連携しながら、 　設計要求・開発計画に基づき、 　プロセスインテグレーション、ユニットプロセス、材料（エピ）開発を行って頂きます。 半導体エンジニアとして 最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。

求める能力・経験

■必須要件 ・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学など 　ものづくりに取り組まれた方 ■歓迎要件 ・GaNまたはSiCに関する知見 ・エピタキシャルプロセス開発に関する知見 ・デバイスメーカ、半導体製造装置メーカ在籍の方

学歴

大学院（法科）、6年制大学、大学院（博士）、大学院（修士）、大学院（その他専門職）、4年制大学、大学院（MBA/MOT）、専門職大学

雇用形態

給与

450万円〜1,000万円

勤務時間

休日・休暇

社会保険

備考

配属先

転勤

住所

兵庫県太子町

制度

その他

制度備考