【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休124日/成長中ベンチャー
700~1000万
Anjet Research Lab株式会社
京都府京都市西京区
700~1000万
Anjet Research Lab株式会社
京都府京都市西京区
半導体プロセス設計
■化合物半導体を用いたパワーデバイスのプロセス開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 <具体的な業務内容の例> ・デバイス製造プロセス(イオン注入、酸化、エッチングなど)の開発、改善(プロセスインテグレーション) ・歩留まり改善、プロセス安定性検証 ・新規材料評価および分析(XRD、SEM、AFM、SIMSなど)
◎化合物半導体に関する材料またはプロセス開発経験(3年以上) ◎海外半導体メーカー(ファウンドリー)との技術折衝経験 ★国内外各地からメンバーが集まっております! <以下スキルお持ちの方は歓迎いたします> ・デバイス量産立ち上げプロジェクト経験 ・クリーンルーム内での実務経験 ・英語/中国語でのコミュニケーション/技術文書作成スキル ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能!刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
大学、大学院
正社員(期間の定め: 無)
更新:無
有 3ヶ月(試用期間中の勤務条件:変更無)
700万円~1,000万円 年俸制(分割回数12回) 年俸 7,000,000円~10,000,000円 年俸¥7,000,000~ 基本給¥583,333~を含む/月
会社規定に基づき支給
08時間00分 休憩60分
1日あたりのみなし労働時間:8時間0分
無 コアタイム 無
無
無 専門業務型裁量労働制
年間124日 内訳:完全週休二日制、土曜 日曜 祝日
入社半年経過時点10日
その他(年休124日以上※暦によって数日変動あり)
雇用保険 健康保険 労災保険 厚生年金
■標準労働時間 9:00~18:00 ■定年65歳制(再雇用 上限70歳まで) ■マイカー通勤可 ※駐車場代は全額会社負担 ≪職安法改正による令和6年4月より明記が必須となった項目について≫ ■従事すべき業務の変更の範囲:当社業務全般 ■就業場所の変更の範囲:無し ※本社の移転や拠点の設立などにより就業場所が変更となる可能性はございます。
大手半導体メーカー(TI/三菱電機/ON Semiconductor/日立/ルネサス/ローム等で)20~30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。
無
京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208・2103号室
JR東海道本線桂川駅 阪急電鉄阪急京都線桂駅
敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所あり)
JR桂川駅/阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有
服装自由(全従業員利用可) ストックオプション(全従業員利用可) 従業員専用駐車場あり(全従業員利用可)
無
無
1名
3回
筆記試験:無 ■Webex Interview2回→最終面接(対面) ※応募者個人情報の第三者提供有り <提供目的> 当該求人募集は、提携先とインディードリクルートパートナーズが協力して実施しておりますので、下記、提携先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。 <提供先> 【提携先】 京都府プロフェッショナル人材戦略拠点 【提供情報】 ・採用に関する日付(内定日・入社日など) ・当該求人募集および応募者に関する情報(企業名/職種名/役職/氏名/前職業種/年代/年収帯/転居有無・転居前後の居住地(都道府県) /入社後のご状況など) ・ご自身に関する情報(氏名/性別/年代/経歴/前職の業種・職種・年収・勤務地/転居有無・転居前後の居住地など) なお、上記は代表例であり、提供先によって提供情報の詳細は異なります。
■業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社として2019年12月に設立 ■電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
《当社について》高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化(量産化)していくための人員の強化を進めています。 また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。
〒615-8245 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
《国内》所沢サテライトオフィス/《海外》■ Taipei Anjet Corporation (HQ) ■Hsinchu R&D office ■Beijing Sales
化合物パワー半導体デバイス設計業
■Taipei ANJET corporation (Headquarters)
非公開
| 決算期 | 売上高 | 経常利益 | |
|---|---|---|---|
| 前々期 | - | - | - |
| 前期 | - | - | - |
| 今期予測 | - | - | - |
| 将来予測 | - | - | - |
営業実績非公開
最終更新日:
500~750万
◎当社メインクライアント先での 【半導体・LSI設計開発エンジニア】をお任せします。 【具体的には】 ■LSI/SoCのアーキテクチャ設計・回路設計 ■デジタルRTL設計・検証 ■アナログ回路設計・シミュレーション ■FPGA/ASIC設計・検証 ■論理合成・DFT・タイミング検証 ■レイアウト設計・物理設計 ■センサー・画像処理向けLSIの開発 ■半導体製品の評価・解析 等 ※対応領域:ご経験・適性に応じて要相談。
【いずれかの経験必須】■LSI/半導体/FPGA等の設計・開発 ■デジタルまたはアナログ回路設計 ■RTL設計・検証、論理合成等 【本ポジションについて】 次世代LSI・SoCのプロジェクト先が増加しており、 アナログ・デジタルLSIからSoC、センサー、AI・画像処理向け半導体まで、最先端デバイスの開発に携わっていただきます。
技術開発支援事業:技術者派遣による技術開発支援、受託開発/設計、自社製品開発 ものづくりにおける製品/部品、装置/治工具等の開発/設計:機械/電気/電子/情報分野自動化/省力化装置の構想/開発/設計/製作、治工具/消耗部品製作等
年収非公開
仕事内容 研究開発部門または生産技術部門にて、ご経験に応じて以下の業務をお任せします。 ・ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウム半導体デバイスの前工程・後工程におけるプロセス設計、条件検討 ・酸化ガリウム半導体デバイスの試作 ・測定データの解析、特性評価、不具合解析 ・プロセスインテグレーション ・量産移管、装置開発、設備導入 ・設備・工程の生産性改善、品質改善 ・半導体デバイス工程の生産設備設計、工程設計・改善 など このポジションの魅力 ・次世代パワー半導体材料として期待される「酸化ガリウム(Ga₂O₃)」のデバイス開発に携われます。 ・新材料について、結晶成長からデバイス化まで一気通貫で研究開発を行う環境です。 ・既存プロセスの運用だけではなく、新規プロセスの開発・試作から量産移管まで幅広く携われます。 ・Si、SiC、GaN、化合物半導体など、これまで培った半導体プロセスの経験を新しい材料へ展開できます。 ・研究開発・生産技術組織の強化フェーズに参画できます。
・新規材料の研究開発、量産移管経験 ・パワーデバイスの設計、試作、評価経験 ・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化経験 ・酸化物半導体の試作、評価経験 ・統計解析手法を用いたデータ解析経験 ・新規プロセス開発、工程導入経験 ・パワーデバイスの要素技術に関する知識・経験 ・ファウンドリーを活用したデバイス開発経験 ・外部委託先の評価・選定、技術移転経験 ・標準プロセス、デザインルール作成経験 ・半導体・電子デバイスの生産設備の開発、設計、改善経験
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年収非公開
業務内容 ・酸化ガリウム(Ga₂O₃)の結晶成長技術の研究開発 ・結晶成長条件の検討、最適化 ・結晶品質・結晶欠陥等の評価、解析 ・エピタキシャル成長に関する技術開発 ・材料特性・結晶特性の評価および改善 ・研究開発データの解析、技術課題の抽出 ・次世代パワー半導体の実用化・量産化に向けた技術開発 ・社内のデバイス/プロセスエンジニアとの連携 ・大学、研究機関、外部パートナー等との技術連携
求める経験・スキル 以下いずれかの研究開発経験をお持ちの方 ・半導体材料の研究開発 ・結晶成長/単結晶成長 ・エピタキシャル成長/エピ成長 ・化合物半導体の研究開発 ・酸化物半導体の研究開発 ・結晶工学、結晶評価、結晶欠陥解析 ・半導体材料・ウェハに関する研究開発 歓迎する経験 ・SiC、GaN、Ga₂O₃等のワイドバンドギャップ半導体に関する経験 ・酸化ガリウムに関する研究開発経験 ・MOVPE/MOCVD/HVPE等を用いた結晶成長経験 ・エピウェハ、エピ層の研究開発経験 ・新規半導体材料の研究開発経験 ・大学や研究機関との共同研究経験 ・研究開発成果の量産化、事業化に携わった経験 ※酸化ガリウムそのものの経験は必須ではありません。 SiC、GaN、その他化合物半導体・酸化物半導体等で培った結晶成長・材料研究の経験を活かしていただけます。
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920~1000万
仕事内容 【京都】技術開発エンジニア(電気系)※半導体洗浄装置の要素技術~製品化まで◆SCREENグループ ■職務内容: ・株式会社SCREENホールディングスで扱う、半導体製造装置や直描露光装置を主とした次世代製品の要素技術開発から装置化までの一連の電気系開発業務を担当。 <具体的には…> ・光学素子やインクジェットなどを用いた直接描画装置や半導体洗浄装置や検査装置などの次世代装置に向けた電気系の基盤技術開発ならびに、次世代装置のシステム開発を担当。 ・具体的には、要求の分析から装置のシステムアーキテクチャの設計、電装設計、制御基板設計(回路設計、FPGA設計)、モジュール化まで一連の開発を主体となってご担当いただきます。 ・年間を通して数名~十数名の開発プロジェクトに参画し、プロジェクト単位でメカ・プロセス・ソフト技術者と協力・調整しながら上記の業務を行っていただきます。
対象となる方 <最終学歴>大学院、大学卒以上 <応募資格/応募条件> ■必須経験: ・電装設計、安全回路設計経験 ・制御基板の回路設計経験 ※知識範囲が広い方・実務経験者を歓迎 ■歓迎条件: ・産業用装置の制御システム設計経験 ・産業用ネットワークなど、装置内/装置間通信に関する知見 ・プロジェクトリーダ経験 ・半導体製造装置設計経験(SEMI規格に関する知見) ・FPGA設計経験(Verilog)、組込ファームウェア設計経験 ・PLC設計経験 ・部下の育成・指導経験
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500~750万
◎当社メインクライアント先の開発プロジェクトに参画し、 IoT関連機器のハードウェア開発/回路設計をお任せします。 無線センサ、ゲートウェイ、通信モジュールなど、IoTを支える機器の開発において、 要件定義・設計から評価、量産化まで幅広い工程に携わっていただきます。 【担当業務】■IoT関連機器のハードウェア開発 ■製品仕様、要求仕様の検討 ■要件定義、仕様検討 ■回路設計、ハードウェア設計 ■試作基板の製作、立ち上げ ■試作品の動作確認、実機評価 ■電気特性、性能、信頼性等の各種評価
【必須】■製品・業界を問わず、回路設計の実務経験がある方 【魅力】当社は「西日本エリア」を専属に、世界をリードする国家プロジェクトや先端開発領域における技術支援事業を展開しております。各業界最大手メーカーを中心とした取引実績を誇ることで、他に類のない『ハイクラス』なエンジニアリング企業の地位を確立しています。 【待遇】快適な労働環境の実現を目指し、「残業平均15h」「家賃補助60%」「セミナー受講支援」など、多数の福利厚生をご用意しています。
技術開発支援事業:技術者派遣による技術開発支援、受託開発/設計、自社製品開発 ものづくりにおける製品/部品、装置/治工具等の開発/設計:機械/電気/電子/情報分野自動化/省力化装置の構想/開発/設計/製作、治工具/消耗部品製作等
500~750万
◎京都エリアを中心に、EV・蓄電システム・産業機器・FA機器などのパワーエレクトロニクス回路設計プロジェクトに参画いただきます。 カーボンニュートラルや電動化を支える最先端製品の開発に携わり、インバータ・コンバータ・電源回路など、高効率・高信頼性を実現する回路設計を担当。上流設計から試作・評価・量産立ち上げまで一貫して携わることで、パワーエレクトロニクス分野の専門性を高められる環境です。 【プロジェクト例】 ・EV・電動モビリティ向けインバータ/コンバータ回路設計 ・蓄電システム・バッテリーマネジメントシステムの回路設計
【必須】製品問わず、回路設計がある方 アナログ回路、デジタル回路、電源回路、FPGA設計、高周波回路等 【魅力】当社は「西日本エリア」を専属に、世界をリードする国家プロジェクトや先端開発領域における技術支援事業を展開しております。各業界最大手メーカーを中心とした取引実績を誇ることで、他に類のない『ハイクラス』なエンジニアリング企業の地位を確立しています。 【待遇】快適な労働環境の実現を目指し、「残業平均15h」「家賃補助60%」「セミナー受講支援」など、多数の福利厚生をご用意しています。
技術開発支援事業:技術者派遣による技術開発支援、受託開発/設計、自社製品開発 ものづくりにおける製品/部品、装置/治工具等の開発/設計:機械/電気/電子/情報分野自動化/省力化装置の構想/開発/設計/製作、治工具/消耗部品製作等
649~941万
最先端LSI製品の審査(Design Review)業務を担います。製品企画から開発計画、設計、量産移行、出荷前に至る各フェーズにおける、妥当性の検討や計画審査を専門的視点から実施いただきます。 【具体的な業務】(1)製品企画の妥当性検討(2)製品開発の計画審査 (3)製品設計、量産移行の妥当性検討(4)量産開始、出荷前審査 【魅力】3nm・4nm等の最先端プロセスや、新規構造(CoWoS等)の難易度が高い製品審査を牽引します。開発の上流から量産まで一気通貫で関わり、世界トップクラスの技術に触れながら、将来のリーダーや製品開発のエキスパートとして成長できる環境です。
【必須】半導体製品審査(Design Review)業務の経験者 【歓迎】半導体の設計・テクノロジ・ウェハプロセス・実装・試験いずれかの経験や知識をお持ちの方/他部門と円滑な折衝・交渉ができる方 【当社魅力】自社製品を売る一般的な半導体企業とは異なり、顧客専用チップをゼロから共同開発する「Solution SoC」モデルが最大の特徴です。顧客と競合せず、設計の最上流から深く参画するため替えの利かないパートナーになれる点が独自の魅力。営業利益率13.3%、自己資本比率80%超と財務は極めて健全で、海外売上比率も6割強とグローバル。最先端技術を武器に数年後の社会基盤を創る圧倒的スケール感が醍醐味です。
SoC及びそれを核とするソリューション/サービスの設計・開発・販売
450~600万
半導体分野の開発(半導体LSIのデジタル・アナログ回路設計・インプリ設計・レイアウト設計業務など)をお任せいたします【案件例】◆LSI論理回路設計業務、デジタル回路の論理設計/検証≪言語≫VerilogHDL、VHDL ≪使用ツール≫VCS、NC-Verilog、Verdi など◆レイアウト設計業務/P&R、DFT設計、マスク検証≪使用ツール≫IC Compiler、SoCEncounter、Calibre など◆インプリメンテーション業務/タイミング検証,テスト設計,フロアプランなど≪使用ツール≫Primetime-SI、DFT、レイアウト◆アナログ回路設計業務、レイアウト設計業務、高周波回路の設計開発≪使用ツール≫Composer、Spector、AnalogArtist、Virtuoso-XL、Calibreなど
【必須】なんらかの半導体開発分野のご経験 【仕事の魅力】◆現在多くの企業から案件を得ていますが、全ての案件ではなく社内のエンジニアがスキルアップ、成長できる企業を選定している為大手企業がメインとなります。【当社の想い】◆生涯エンジニアとしてスキルを発揮し、開発に集中できる環境作りを大切にしています◆心身の健康にも配慮し、長く現役で働ける体制を整えております◆一人一人のエンジニア技術が自社ブランドと考え充実した教育環境、制度をご用意!
ハードウェア・ソフトウェア分野における設計・開発業務 ■ハードウェア:半導体(LSI・FPGA・ASIC)設計開発 ■ソフトウェア:組込み・制御ソフトウェア、WEBシステムの設計開発
700~1000万
■化合物半導体を用いたパワーデバイスの品質保証業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 <具体的な業務内容の例> ・車載および産業用途向けSiC/GaNデバイスの品質評価/信頼性試験 ・製品異常の解析・フィードバック(FMEA、FTA、8Dなど) ・顧客監査・外部品質対応(PPAP、IATF対応など) ・工程監視/出荷品質データの統計的分析 ・品質向上活動(社内横断的な改善プロジェクト推進)
◎半導体製品の品質保証・品質管理経験(3年以上) ◎信頼性試験規格(AEC-Q101、JEITA、JEDECなど)の理解 ◎語学:英語および中国語でコミュニケーションの取れる方 <以下スキルお持ちの方は歓迎いたします> ・顧客対応(車載OEM/Tier1等)の実務経験 ・ISO9001, IATF16949等の認証対応経験 ・品質管理手法(QC7つ道具、統計解析など)のスキル ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能!刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
化合物パワー半導体デバイス設計業
600~1000万
業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの半導体メーカーでの開発職(非管理職)のポジションです。 ■業務内容: 世界のファンダリ―メーカーと協力して高性能パワーデバイスの設計・開発・試作 (具体的には) ・パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)の開発・設計、プロセスインテグレーション開発 ・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示 ・デバイスの信頼性評価技術(TEG作成からTDDB評価など)、レイアウト技術(GDS)、デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用 ・低歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策 ・パワー半導体デバイスのPKG,モジュールの設計、開発 ・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案 (下記の4分野で求人募集しております、) 1:パワー半導体デバイス設計開発 2:パワー半導体デバイス信頼性評価技術開発・歩留まり改善 3:パワー半導体デバイスのファウンダリでのデバイス試作(インテグレーション) 4:パワー半導体不良解析エンジニア・データ分析技術者 (勤務地所在地)京都府京都市西京区(最寄り駅:阪急桂駅) (組織について) ごく少人数で立ち上げがされた企業ですが、半導体技術最先端の海外の技術者とも協業を行っている環境です。 上記4部署が明確に職務分担されている訳ではなく、広い職務に関わり、世界最先端のパワー半導体開発工程に広く関わって頂ける環境です。
【必須(MUST)】 ※下記いずれかのご経験のある方 ・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造分野に関して何らかのご経験の ある方。 【歓迎(WANT)】 ・日常会話レベル以上の英語力又は中国語力のある方。 (海外エンジニアとのコミュニケーションも発生する為)
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