東芝D&S/石川/パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア/450~1000
450~1000万
東芝デバイス&ストレージ株式会社
石川県能美市
450~1000万
東芝デバイス&ストレージ株式会社
石川県能美市
半導体デバイス設計
半導体プロセス設計
■職務内容詳細 デバイス開発部に所属頂きます。 MOSFET、IGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、 以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 製品毎に6~8名のチームで業務を行います。 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、 週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、 製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、 エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 ハイブリット勤務: 部分在宅含めて予定業務に応じて臨機応変に利用可能 ■募集背景 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、 あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、 自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、 今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 同社はこれまで、加賀東芝を中心に、 200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。 今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、 300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、 低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。
■必須要件 ・学生時代の専攻が電気電子、物理、半導体デバイスに 関する研究などの方 ■歓迎要件 ・半導体やディスプレイメーカーのプロセスインテグレーション開発、 あるいは、半導体のデバイス開発に従事した経験をお持ちの方 ・欠陥検査装置の経験者または知識をお持ちの方 ・TCAD(プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション)に関する知識をお持ちの方
大学院(博士)、大学院(法科)、6年制大学、大学院(その他専門職)、大学院(修士)、4年制大学、大学院(MBA/MOT)、専門職大学
450万円〜1,000万円
石川県能美市
最終更新日: